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从微显示到光互联：星钥半导体完成新一轮超十亿元融资，以8英寸硅基 GaN 打造下一代 MicroLED 产业化平台
星钥半导体（武汉）有限公司近日宣布完成新一轮超十亿元融资，本轮由宁德时代溥泉资本领投，美团龙珠、国泰海通、优山资本、鼎晖香港以及重庆、江苏多地国资平台共同参与，老股东高瓴创投、红杉中国、经纬创投、华业天成、君科丹木、盛裕资本、中天汇富和明势创投持续加码。截至目前，公司累计融资金额已超25亿元。股东阵容覆盖产业资本、一线市场化机构与地方产业平台，构建起多方协同的赋能体系，为核心技术攻坚、产能布局落地与长期生态建设夯实了资金与资源基础。
星钥半导体（武汉）有限公司成立于2024年10月，专注8英寸硅基GaN MicroLED芯片的研发与产业化，围绕微显示、光互联两大赛道完成技术与产品布局，搭建IDM全流程制造能力，为AR近眼显示、AI算力光通信等领域提供核心光电子芯片解决方案。
产业破局：用半导体技术重新定义显示，破解MicroLED规模化量产难题
MicroLED实现大规模商用的核心阻碍，来源于行业沿用传统照明LED的制造体系。传统照明4‑6英寸LED产线的制造模式，难以达到显示级MicroLED对微米级加工精度、全域百万级像素均匀性、PPM级缺陷管控的严苛标准。
同时，受衬底规格、设备能力与生产环境约束，蓝宝石基MicroLED产线工艺窗口狭窄，很难放大到规模化量产场景，芯片良率与像素均匀性难以实现突破。这也导致大量MicroLED技术成果仅停留在小规模产品验证阶段，良率不足、制造成本过高、交付能力低下、全彩化落地困难等产业化瓶颈，全面制约产品向消费级市场渗透。
针对上述行业痛点，星钥半导体跳出传统显示器件的研发范式，引入成熟半导体制程，重塑MicroLED全链条制造体系。
技术路线：锚定8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si），打造全流程IDM规模化制造能力，彻底解决MicroLED量产难题
公司自创立之初即锚定8英寸硅基GaN核心技术路线，依托经过数十年产业验证的标准化半导体晶圆制造平台，从材料体系、器件工艺、集成模式三大底层维度，打通MicroLED规模化量产的技术通路，建成覆盖外延生长、芯片制造、晶圆键合的IDM全流程能力。
对比传统4英寸蓝宝石基工艺，8英寸硅基氮化镓路线在成本与规模化、工艺集成与器件性能、技术迭代潜力、半导体级的先进封装技术及材料本征等具有全面优势。凭借IDM垂直整合模式，星钥通过全链路工艺协同迭代，完成材料、器件、异质集成的一体化联合优化，保障微米级像素器件的性能均匀性与量产稳定性，搭建起面向市场大规模商业化的完整制造闭环。
高效作战团队-量产落地：8个月建成国内首条8英寸全流程中试线
2024年10月公司落户武汉光谷，仅用8个月完成厂房建设与核心设备搬入。2025年9月，公司建成国内首条8英寸硅基氮化镓MicroLED全流程中试产线，打通氮化镓外延生长、芯片制造、晶圆键合全工序链条，规划年产能约1.2万片晶圆。
目前，公司单色MicroLED芯片已开启批量生产，双色及三色（全彩）集成样品已开始送样，头部客户导入与产品验证工作已全面开展，有望在下一阶段给市场带来全面突破。
全彩突破：全球独家双红光路线布局
红光是行业公认实现MicroLED全彩化的核心难点，也是决定产品实现规模量产与商业化落地的关键瓶颈。星钥半导体同步布局铝镓铟磷（AlGaInP）与铟镓氮（InGaN）两条红光技术路线：AlGaInP路线依托成熟材料基础，可快速实现红光器件性能突破；InGaN路线可在统一材料体系内实现RGB集成与单片全彩，具备更高的工艺协同性和更大的产业化潜力。
2026年5月，公司在SID国际显示周正式发布红、绿、蓝三原色全系列MicroLED微显示屏，推出具备量产可行性的近眼显示完整解决方案，推动产品向全彩化、产业化方向加速演进。
全面布局MicroLED光通信赛道，打造全新光互联技术，彻底解决高功耗痛点
AI算力集群规模持续扩大，GPU算力密度持续攀升，数据中心10米以内的短距互联场景（涵盖芯片间、板级及机柜内部）正面临“带宽、功耗、距离”的三重约束，服务器与机柜内部互联方案迎来“光进铜退”的历史性技术迭代。
无源铜缆在1.6Tbps及以上速率下信号衰减显著，有效传输距离不足1米，同时存在线缆臃肿、布线密度受限、系统功耗抬升等短板，已经无法支撑大规模算力集群扩容。当前主流短距光互联以VCSEL、硅光方案为主，依靠有限的高速激光通道实现聚合带宽。随着单通道速率不断提升，激光驱动、DSP数字信号处理、精密光耦合的实现复杂度大幅增加，系统功耗水涨船高。一旦光引擎部署至GPU、HBM等高功耗芯片近邻位置，光源效率、热稳定性、封装空间、运维可靠性都会承受巨大压力。
MicroLED是AIDC短距光互联最具优势的技术路线，核心采用“Wide and Slow”并行互联思路：不盲目追求单通道速率上限，依托微米级发光器件构建高密度二维阵列，依靠增加并行通道数量拉高整体聚合带宽。该方案既保留光互联的传输距离与布线灵活优势，又实现接近电互联的功耗水平与系统可靠性，从器件底层机理缓解现有方案的功耗痛点，高度匹配AI数据中心短距、高密度互联的刚需，核心竞争优势如下：
- 高聚合带宽，适配高吞吐算力场景：微米级器件具备极低RC常数，单通道实现GHz级调制带宽，可支撑Gbps级信号传输；凭借阵列并行架构，单芯片聚合带宽能够突破Tb/s级别，完美适配GPU高速互联需求；
- 底层架构实现低功耗高能效：器件本身寄生参数小，无需过度抬升单通道速率换取带宽，目标能效低于5pJ/bit，极限工况可达1pJ/bit，从根源控制传输能耗，契合AIDC严苛的能耗管控要求；
- 硅基氮化镓赋能先进封装集成，适配CPO发展趋势：工艺与CMOS体系高度兼容，可复用8/12英寸成熟CMOS产线；借助硅基氮化镓的技术特性，大幅降低异质集成难度，支持发光阵列与硅驱动、探测电路完成晶圆级混合/单片集成，十分契合CPO共封装光学的产业演进方向；
- 工作稳定性强，规模化降本空间充足：器件耐受工作温区宽，对散热冷却系统要求更低；叠加硅衬底成本优势以及大尺寸晶圆量产规模效应，商业化落地阶段具备可观的成本下行潜力。
MicroLED光通信与微显示技术高度同源，依托先进的8英寸硅基平台，成熟的量产工艺，公司在稳步推进MicroLED显示业务的同时，正式切入MicroLED光通信领域，现已向产业合作伙伴送样开展产品验证测试，加速推进技术从研发走向产业化验证。
愿景：GaN出AI时代光电子新技术平台
步入AI时代，GaN技术已在电力电子领域建立起行业性能标杆，目前星钥半导体正全力攻坚GaN在“光”领域的性能边界。一方面，新一代人机交互终端对MicroLED显示芯片提出了更高维度要求；另一方面，AI数据中心短距离光互联也爆发了全新需求。
依托团队在8英寸硅基氮化镓量产工艺、IDM全链路制造和产业化协同上的深厚积淀，星钥半导体布局MicroLED微显示、光通信双大赛道，打造面向AI时代的下一代核心光电子半导体平台，为AR智能终端与算力光通信基础设施提供底层技术底座，构筑“消费级微显示+算力级光通信”的双增长曲线。
投资机构共话行业趋势，看好8英寸硅基GaN技术路线价值
美团龙珠合伙人王新宇表示：AI眼镜是显著的供给远落后于需求的行业，产业链上游MicroLED更是如此，MicroLED在AI眼镜、scale-up光互联等市场有强烈需求。MicroLED行业竞争的关键点，已经从LED器件性能比拼转变为半导体规模制造能力。龙珠是美团发起设立的VC，看好MicroLED行业巨大机会，期待星钥为代表的优秀企业促成行业向半导体规模制造范式成功转型。
国泰海通投资人表示：坚定看好MicroLED芯片在AR眼镜的爆发式增长预期及未来光互连等多场景的应用潜力。MicroLED作为业内公认的终极显示技术，具备体积、亮度、色彩对比度等全方位优势，现为AR眼镜用微显示芯片的最佳方案，并已在scale-up光互连场景展现了极佳出光效率。过往MicroLED行业主流工艺为蓝宝石技术路线，但存在良率低、产能不足、全彩化等技术难题，是制约智能眼镜市场放量的核心卡点。星钥半导体为全球首家建成8英寸硅基氮化镓MicroLED量产线企业，已量产单色芯片并即将推出全彩方案，对比现有蓝宝石技术路线，有效解决了行业降本、供应和色彩提升的刚需。在本轮融资产业资源及资金支持下，星钥半导体会完成量产线产能扩充及新增光互连技术研发，看好成为全球技术领先的MicroLED平台型企业。
鼎晖香港基金管理合伙人许志坚表示：鼎晖长期关注高端显示领域，高度看好MicroLED作为下一代高端显示方案的广阔应用前景。MicroLED行业内一直在寻找小尺寸、低功耗、高亮度、高良率、长寿命的解决方案。我们相信星钥半导体有业内最深厚的技术积淀和工艺制造能力，在硅基氮化镓行业领军人物骆薇薇博士的带领下，星钥的大尺寸硅基氮化镓和混合键合的MicroLED方案将引领行业发展。
展会预告：星钥半导体将亮相第27届中国国际光电博览会
星钥半导体即将亮相第27届中国国际光电博览会（CIOE），展位位于深圳国际会展中心2号馆2C119，展会时间9月9‑11日。现场将展出8英寸硅基GaN MicroLED芯片、全彩微显示方案与AI算力光互联技术，诚挚欢迎产业链同仁、客户伙伴莅临展位，共话MicroLED微显示与光互联产业发展新机。
